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供应雪崩二极管(APD)

更新时间:2020年-05月-19日    编辑:

      齐纳二极管伏安属性的非线性比差;为了克制正、负两种极性的过电压,得以把两只雪崩二极管的负极串联兴起,封装成一体。

      图1示意性地示出了单光子雪崩二极管(SPAD。

      然而,平常不采用这种速决方案,当外延层以及故此P区6较厚时,应当使用过分的反向偏置电压以尽管地向背侧扩张耗尽区10以检测红外光子。

      经过这种方式,P区中的空穴和N区中的电子被推向P区和N区的接口。

      在上述情形下,连SPAD(其一行形成SPAD的等同物)的一样方式将为将一切其阳极连在一行。

      它是固体微波源,非常是毫米波发出源的要紧功率机件,广阔地使用来雷达、致函、遥控、遥测、仪表仪表中。

      进漂移区的雪崩电流变情形。

      齐纳二极管伏安属性的非线性比差;为了克制正、负两种极性的过电压,得以把两只雪崩二极管的负极串联兴起,封装成一体。

      它是在附加电压功能下得以发生高频振荡的晶管。

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      组SPAD使能:图10c描写了如图10a中的像素内的SPAD阵列,只是,该SPAD阵列被分开成多少组,比如,一组对准图10c的12个SPAD的大面儿环1014,一组对准内部4个SPAD1016,以及仅含4个内部SPAD1018之一的一‘组’。

      采用这属性制造的二极管即雪崩二极管雪崩击穿是在电场功能下,载流子能叠加,不止与晶原子相碰,使共价键中的电子激起形成自由电子-空穴对。

      随着交变电压的叠加,进漂移区的雪崩电流将迅速叠加。

      定货号|二极管型号|封装|有效区域尺码(mm)|暗电流|击穿电压(V)|升高时刻(ns)---|---|---|---|---|---|---|||面积(mm2)|(nA)3.5V|voltage|405nm,3.5V,50Ω500970|AD800-11|TO52S1|?0,8/0.5|1|90-240|1500967|AD1900-11|TO5i|?1,95/3|5|90-240|212系列,红光加强型雪崩二极管APD。

      看你问的几个情况就懂得你想理解掩护二极管的区分以及使用对准性。

      生2,2生4,像雪崩一Yang增多载流子。

      并且得以看出,当交变电压减小到零时,雪崩电流达成最大值。

      最少一个耗尽构造得以进一步囊括:头掺杂剂品类的最少一个击沉区,该头掺杂剂品类的最少一个击沉区被连至最少一个耗尽构造;以及最少一个电极,该最少一个电极被连至击沉区。

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